1所情概況編輯
中國科學院半導體研究所
[1] 是集半導體物理、材料、器件及其應用研究于一體的半導體科學技術的綜合性研究所。半導體所設有:半導體超晶格國家重點實驗室,中國科學院半導體照明研發(fā)中心,半導體材料科學中心,半導體材料科學重點實驗室,光電子研究發(fā)展中心,半導體集成技術工程研究中心,光電子器件國家工程研究中心,高速電路與神經網絡實驗室,表面物理國家重點實驗室(半導體所區(qū)),納米光電子實驗室,全固態(tài)光源實驗室、光電系統實驗室、圖書信息中心。其中有兩個***研究中心,三個國家重點實驗室,一個中國科學院院級研發(fā)中心和一個院級重點實驗室。
半導體所現有中科鎵英半導體有限公司、揚州中科半導體照明有限公司、蘇州中科半導體集成技術研發(fā)中心等合資公司。
為了適應知識**的需要,經過學科調整和目標凝練,主要研究領域包括:光電子及其集成技術;體材料、薄膜材料、微結構半導體材料科學技術;低維量子體系和量子工程、量子器件的基礎研究;半導體人工神經網絡和特種微電子技術。
半導體所共有10名中國科學院院士(已故兩位),2名中國工程院院士,其中已故黃昆院士榮獲2001年度國家*高科學技術獎。
半導體所現有職工640余人,其中科技人員460余人,正副研究員及**工程技術人員198名,千人計劃2人,“百人計劃”入選者及國家“杰青”獲得者35名、國家百千萬人才工程入選者6名。
半導體所是國家首批建立的博士后流動站設站單位和博士、碩士學位授予單位,設有三個博士后流動站、四個博士學科專業(yè)點、五個碩士學科專業(yè)點。在讀研究生共540余名,其中博士研究生285名,博士后在站人員近30名,研究生已經成為半導體所科研工作的生力軍。
2簡介編輯
1956年,在我國十二年科學技術發(fā)展遠景規(guī)劃中,半導體科學技術被列為當時國家新技術四大緊急措施之一。為了創(chuàng)建中國半導體科學技術的研究發(fā)展基地,國家于1960年9月6日在北京成立中國科學院半導體研究所(以下簡稱半導體所),開啟了中國半導體科學技術的發(fā)展之路。
半導體所擁有兩個***研究中心—國家光電子工藝中心、光電子器件國家工程研究中心;三個國家重點實驗室—半導體超晶格國家重點實驗室、集成光電子學國家重點聯合實驗室、表面物理國家重點實驗室(半導體所區(qū));兩個院級實驗室(中心)—半導體材料科學重點實驗室、中科院半導體照明研發(fā)中心。此外,還設有半導體集成技術工程研究中心、光電子研究發(fā)展中心、半導體材料科學中心、高速電路與神經網絡實驗室、納米光電子實驗室、光電系統實驗室、全固態(tài)光源實驗室和半導體能源研究發(fā)展中心。并成立了圖書信息中心,為研究所提供科研支撐服務。
半導體研究所現有職工640余名,其中科技人員460余名,中國科學院院士8名,中國工程院院士2名,正副研究員及**工程技術人員198名,“百人計劃”入選者及國家“杰青”獲得者35名、國家百千萬人才工程入選者6名。其中黃昆先生榮獲2001年度國家*高科學技術獎。設有5個碩士學位授予點,3個工程碩士培養(yǎng)點,4個博士學位授予點,3個博士后流動站。
半導體所高度重視國內外交流合作,與地方政府、科研機構、大學和企業(yè)等共建了1個院士工作站、3個研發(fā)(轉移)中心、9個聯合實驗室,積極為企業(yè)和區(qū)域經濟社會發(fā)展服務。同時積極開展多層次、全方位的國際學術交流與合作,成績顯著,科學技術部和國家外國專家局批準成立“***國際聯合研究中心”。并且以自主知識產權的**和專有技術投資,融合社會資本建立了10余家高技術企業(yè),并實施科研成果轉化為現實生產力,已初步形成產業(yè)化、商品化規(guī)模。
半導體所秉承“以人為本、**跨越、唯真求實、和諧發(fā)展”的辦所理念,奮斗不息,勇攀高峰,取得了快速發(fā)展,研究所已逐漸發(fā)展成為集半導體物理、材料、器件研究及其系統集成應用于一體的***半導體科學技術的綜合性研究機構。
半導體所的中長期發(fā)展戰(zhàn)略目標是:開展與國家發(fā)展密切相關的、世界科技前沿的基礎性、前瞻性、戰(zhàn)略性科技**活動,為發(fā)展我國的高新技術提供源源不斷的動力;以國家戰(zhàn)略需求為導向,開展戰(zhàn)略高技術研究,為國民經濟和國防建設提供科技支撐,并為相關行業(yè)的技術進步作出貢獻;吸引、聚集和培養(yǎng)國際**人才;建立具有******的、開放的實驗研究和測試平臺,實現科技**能力的跨越和持續(xù)發(fā)展,成為**我國半導體科學技術發(fā)展的火車頭。